電源管理MOS管 13N65 TO-220 650V場效應管 高壓MOS參數
650V場效應管 13N65的產(chan) 品特點:
VDS=650V
ID=13A
RDS(ON)<0.5Ω@VGS=10V
封裝:TO-220
650V場效應管 13N65的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:650V
柵極-源極電壓 VGS:±30V
漏極電流-連續 ID:13A
漏極電流-脈衝(chong) IDM:48A
單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:550mJ
總耗散功率 PD:120W
存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~+150℃
工作結溫 TJ:150℃
結到管殼的熱阻 RθJC:1.04℃/W
結到環境的熱阻 RθJA:100℃/W
650V場效應管 13N65的電特性:
符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 650 | V | ||
RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=6A | 0.5 | Ω | ||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 4 | V | |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
gfs | 正向跨導 | 12 | S | ||
Qg | 柵極電荷 | 40 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 10 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 14 | |||
Ciss | 輸入電容 | 2000 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 160 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 18 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 28 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 26 | |||
td(off) | 關斷延遲時間 | 64 | |||
tf | 開啟下降時間 | 45 |