hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » MOS管 » 高壓MOS管 » 電源管理MOS管 13N65 TO-220

產品分類

Product Categories
電源管理MOS管 13N65 TO-220
電源管理MOS管 13N65 TO-220
產品品牌:宇芯微
產品類型:高壓MOS管
產品型號:13N65
產品封裝:TO-220
產品標題:電源管理MOS管 13N65 TO-220 650V場效應管 高壓MOS參數
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


電源管理MOS管 13N65 TO-220 650V場效應管 高壓MOS參數



650V場效應管 13N65的產(chan) 品特點:

  • VDS=650V

  • ID=13A

  • RDS(ON)<0.5Ω@VGS=10V

  • 封裝:TO-220



650V場效應管 13N65的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:650V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±30V

  • 漏極電流-連續 ID:13A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:48A

  • 單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:550mJ

  • 總耗散功率 PD:120W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~+150℃

  • 工作結溫 TJ:150℃

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:1.04℃/W

  • 結到環境的熱阻 RθJA:100℃/W



650V場效應管 13N65的電特性:

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓650

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=6A



0.5Ω
VGS(th)
柵極開啟電壓2
4V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導
12
S
Qg柵極電荷
40
nC
Qgs柵源電荷密度

10


Qgd柵漏電荷密度
14
Ciss輸入電容
2000
pF
Coss輸出電容
160
Crss反向傳輸電容
18
td(on)開啟延遲時間
28
ns
tr開啟上升時間

26


td(off)關斷延遲時間
64
tf
開啟下降時間
45

產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: