MOS管替代 10N65 TO-220 650V/10A 電源用場效應管 NMOS管

NMOS管 10N65的產(chan) 品特點：

• V_DS=650V

• I_D=10A

• R_DS(ON)＜0.8Ω@V_GS=10V

• 封裝：TO-220
  

NMOS管 10N65的極限值：

(如無特殊說明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：650V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±30V

• 漏極電流-連續 I_D：10A

• 漏極電流-脈衝(chong) I_DM：38A

• 單脈衝(chong) 雪崩能量 E_AS：562mJ

• 雪崩電流 I_AR：7.5A

• 重複雪崩能量 E_AR：45mJ

• 總耗散功率 P_D：65W

• 存儲(chu) 溫度 T_STG：-55~+150℃

• 工作結溫 T_J：-55~+150℃

• 結到管殼的熱阻 R_θJC：1.29℃/W

• 結到環境的熱阻 R_θJA：62.5℃/W

NMOS管 10N65的電特性：

(如無特殊說明，T_A=25℃)