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650VN溝道MOS管 7N65 TO-220
650VN溝道MOS管 7N65 TO-220
產品品牌:宇芯微
產品類型:高壓MOS管
產品型號:7N65
產品封裝:TO-220
產品標題:場效應管絲印 650VN溝道MOS管 7N65 TO-220 照明用MOSFET
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


場效應管絲(si) 印 650VN溝道MOS管 7N65 TO-220 照明用MOSFET



照明用MOSFET 7N65的產(chan) 品特點:

  • VDS=650V

  • ID=7A

  • RDS(ON)<2.4Ω@VGS=10V

  • 封裝:TO-220



照明用MOSFET 7N65的應用領域:

  • UPS 不間斷電源

  • PFC 功率因素校正



照明用MOSFET 7N65的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:650V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±30V

  • 漏極電流-連續 ID:7A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:28A

  • 單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:198mJ

  • 雪崩電流 IAR:3.5A

  • 重複雪崩能量 EAR:40mJ

  • 總耗散功率 PD:63W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~+150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~+150℃

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:1.29℃/W

  • 結到環境的熱阻 RθJA:62.5℃/W



照明用MOSFET 7N65的電特性:

(如無特殊說明,TA=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓650

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=3.5A


1.11.35Ω
VGS(th)
柵極開啟電壓3
4V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
22
nC
Qgs柵源電荷密度

4.3


Qgd柵漏電荷密度
13
Ciss輸入電容
891
pF
Coss輸出電容
110
Crss反向傳輸電容
14
td(on)開啟延遲時間
15
ns
tr開啟上升時間

18


td(off)關斷延遲時間
80
tf
開啟下降時間
35

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