N溝道高壓MOS 2N65 TO-251 功率場效應管 650VMOS管
650VMOS管 2N65的用途：
UPS 不間斷電源
PFC 功率因素校正
650VMOS管 2N65的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 650 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±30 | |
| ID | 漏極電流-連續 | 2 | A |
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 6 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 57 | mJ |
| IAR | 雪崩電流 | 2.4 | A |
| EAR | 重複雪崩能量 | 6.4 | mJ |
| PD | 總耗散功率 | 25 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 60 | ℃/W |
| 結到管殼的熱阻 | 5 | ||
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~+150 |
650VMOS管 2N65的電特性：
(如無特殊說明，TA=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 650 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=1A | 4 | 4.8 | Ω | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 3 | 4 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 8 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.2 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 310 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 39 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 6 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 7.8 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 33 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 23 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 59 |
650VMOS管 2N65的封裝外形尺寸圖：
網站首頁可控矽集成電路MOS管產(chan) 品中心生產(chan) 實力技術支持新聞資訊關(guan) 於(yu) 宇芯聯係我們(men)
掃二維碼進入手機網站 
掃二維碼進入微信 
