LED用場效應管 20N50 TO-220F 500V 國產(chan) MOSFET MOS應用參數
LED用場效應管 20N50的產(chan) 品特點：
VDS=500V
ID=20V
RDS(ON)＜0.3Ω@VGS=10V
封裝：TO-220F
LED用場效應管 20N50的極限參數：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：500V
柵極-源極電壓 VGS：±30V
漏極電流-連續 ID：20A
漏極電流-脈衝(chong) IDM：80A
單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS：1200mJ
總耗散功率 PD：45W
存儲(chu) 溫度 TSTG：-55~+150℃
工作結溫 TJ：150℃
結到管殼的熱阻 RθJC：2.78℃/W
結到環境的熱阻 RθJA：62℃/W
LED用場效應管 20N50的電特性：
(如無特殊說明，TA=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 500 | 540 | V | |
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=10A | 0.23 | 0.3 | Ω | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 3.2 | 4 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 54.5 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 13.2 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 18.7 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 3059 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 291 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 16 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 37 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 70 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 89 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 49 |
LED用場效應管 20N50的封裝外形尺寸圖：
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