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500V/5A 塑封MOSFET 5N50 TO-220F
500V/5A 塑封MOSFET 5N50 TO-220F
產品品牌:宇芯微
產品類型:高壓MOS管
產品型號:5N50
產品封裝:TO-220F
產品標題:宇芯微 500V/5A 塑封MOSFET 5N50 TO-220F 同步整流MOS管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


宇芯微 500V/5A 塑封MOSFET 5N50 TO-220F 同步整流MOS管



塑封MOSFET 5N50的產(chan) 品特點:

  • 高雪崩能量

  • 極低的開關(guan) 損耗

  • VDS=500V

  • ID=5A

  • RDS(ON)<1.2Ω@VGS=10V

  • 封裝:TO-220F



塑封MOSFET 5N50的用途:

  • 消費電子電源電機控製器

  • 同步整流

  • 同步整流應用程序



塑封MOSFET 5N50的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:500V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±30V

  • 漏極電流-連續 ID:5A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:28A

  • 單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:176mJ

  • 雪崩電流 IAR:4.2A

  • 重複雪崩能量 EAR:35mJ

  • 總耗散功率 PD:83W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~+150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~+150℃

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:2.3℃/W

  • 結到環境的熱阻 RθJA:62.5℃/W



塑封MOSFET 5N50的電特性:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓500

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=3.5A


11.2Ω
VGS(th)
柵極開啟電壓3
4V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
19
nC
Qgs柵源電荷密度

3.7


Qgd柵漏電荷密度
11
Ciss輸入電容
700
pF
Coss輸出電容
94
Crss反向傳輸電容
12
td(on)開啟延遲時間
13
ns
tr開啟上升時間

25


td(off)關斷延遲時間
76
tf
開啟下降時間
40


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