國產(chan) 替換MOS管 5N50 TO-251 電源用 高壓MOSFET
高壓MOSFET 5N50的產(chan) 品特點：
VDS=500V
ID=5A
RDS(ON)＜1.6Ω@VGS=10V
封裝：TO-251
高壓MOSFET 5N50的用途：
開關(guan) 電源(SMPS)
不間斷電源(UPS)
功率因素校正(PFC)
高壓MOSFET 5N50的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 500 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±30 | |
| ID | 漏極電流-連續 | 5 | A |
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 20 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 90 | mJ |
| PD | 總耗散功率 | 45 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 60 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 2.8 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~+150 |
高壓MOSFET 5N50的電特性：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 500 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=2.5A | 1.35 | 1.6 | Ω | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 3 | 4 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 13.5 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 6 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 462 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 54.2 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 8.8 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 10 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 25 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 40 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 52 |
高壓MOSFET 5N50的封裝外形尺寸圖：
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