250V/50A NMOS 高壓MOSFET 50N25 TO-247 大封裝MOS管

高壓MOSFET 50N25的特點：

• V_DS=250V

• I_D=50A

• R_DS(ON)＜85mΩ@V_GS=10V

• 封裝：TO-247

高壓MOSFET 50N25的應用領域：

• 功率放大器

• 電機驅動

高壓MOSFET 50N25的極限值：

(如無特殊說明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：250V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±30V

• 漏極電流-連續 I_D：50A

• 漏極電流-脈衝(chong) I_DM：180A

• 單脈衝(chong) 雪崩能量 E_AS：973mJ

• 雪崩電流 I_AS：36A

• 重複雪崩能量 E_AR：584mJ

• 總耗散功率 P_D：65W

• 存儲(chu) 溫度 T_STG：-55~+150℃

• 工作結溫 T_J：-55~+150℃

• 結到管殼的熱阻 R_θJC：0.89℃/W

• 結到環境的熱阻 R_θJA：60℃/W

高壓MOSFET 50N25的電特性：

(如無特殊說明，T_C=25℃)