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常用P溝道MOS管 -200V/-9A 9P20 TO-252
常用P溝道MOS管 -200V/-9A 9P20 TO-252
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:9P20
產品封裝:TO-252
產品標題:常用P溝道MOS管 -200V/-9A 9P20 TO-252 驅動用場效應管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


常用P溝道MOS管 -200V/-9A 9P20 TO-252 驅動用場效應管



常用P溝道MOS管 9P20的特點:

  • VDS=-200V

  • ID=-9A

  • RDS(ON)<0.75Ω@VGS=-10V

  • 封裝:TO-252



常用P溝道MOS管 9P20的用途:

  • 功率放大器

  • 電機驅動



常用P溝道MOS管 9P20的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓-200
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續 TC=25℃-8.7A
漏極電流-連續 TC=100℃-3.6
IDM漏極電流-脈衝-22.8
EAS單脈衝雪崩能量570mJ
IAR重複雪崩電流-8.7A
EAR觸發雪崩能量5.5mJ
PD總耗散功率 TC=25℃55W
RθJA
結到環境的熱阻110℃/W
RθJC結到管殼的熱阻2.2
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150



常用P溝道MOS管 9P20的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-200

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=-10V,ID=-4A


0.6250.75Ω
VGS(th)
柵極開啟電壓-2-3.5-4V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導1.1

S
Qg柵極電荷

20nC
Qgs柵源電荷密度


3.3
Qgd柵漏電荷密度

11
Ciss輸入電容
590770pF
Coss輸出電容
140180
Crss反向傳輸電容
2535
td(on)開啟延遲時間
8.8
ns
tr開啟上升時間

27


td(off)關斷延遲時間
7.3
tf
開啟下降時間
19


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