P溝道MOS管 4P20 TO-252 貼片場效應管 功率放大器MOS

P溝道MOS管 4P20的產(chan) 品特點：

• V_DS=-200V

• I_D=-4A

• R_DS(ON)＜1.7Ω@V_GS=-10V

• 封裝：TO-252
  

P溝道MOS管 4P20的用途：

• 功率放大器

• 電機驅動

P溝道MOS管 4P20的極限值：

(如無特殊說明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：-200V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

• 漏極電流-連續 I_D：-4A

• 漏極電流-脈衝(chong) I_DM：-14A

• 單脈衝(chong) 雪崩能量 E_AS：310mJ

• 重複雪崩能量 E_AR：4.2mJ
  

• 總耗散功率 P_D：42W

• 存儲(chu) 溫度 T_STG：-55~+150℃

• 工作結溫 T_J：-55~+150℃

• 結到管殼的熱阻 R_θJC：3℃/W

• 結到環境的熱阻 R_θJA：110℃/W

P溝道MOS管 4P20的電特性：

(如無特殊說明，T_J=25℃)