hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » MOS管 » 中低壓MOS管 » 電機用NMOS管 130N20 TO-247

產品分類

Product Categories
電機用NMOS管 130N20 TO-247
電機用NMOS管 130N20 TO-247
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:130N20
產品封裝:TO-247
產品標題:電機用NMOS管 130N20 TO-247 大封裝場效應管 23mΩ 國產替換MOS
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


電機用NMOS管 130N20 TO-247 大封裝場效應管 23mΩ 國產(chan) 替換MOS



電機用NMOS管 130N20的產(chan) 品特點:

  • VDS=200V

  • ID=130A

  • RDS(ON)<23mΩ@VGS=10V

  • 封裝:TO-247



電機用NMOS管 130N20的用途:

  • 功率放大器

  • 電機驅動



電機用NMOS管 130N20的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:200V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±30V

  • 漏極電流-連續 ID:130A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:360A

  • 單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:2000mJ

  • 總耗散功率 PD:450W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~+150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~+150℃

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:0.28℃/W

  • 結到環境的熱阻 RθJA:60℃/W



電機用NMOS管 130N20的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓200

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=45A


1823
VGS(th)
柵極開啟電壓234V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
200
nC
Qgs柵源電荷密度

28
Qgd柵漏電荷密度
60
Ciss輸入電容
6500
pF
Coss輸出電容
980
Crss反向傳輸電容
370
td(on)開啟延遲時間
45
ns
tr開啟上升時間

70


td(off)關斷延遲時間
110
tf
開啟下降時間
90



電機用NMOS管 130N20的封裝外形尺寸:

image.png


產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: