200V場效應管 50N20 TO-247 插件大封裝MOS 功率放大器MOS管
200V場效應管 50N20的極限參數：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 200 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續 | 50 | A |
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 160 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 191 | mJ |
| PD | 總耗散功率 | 104 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 60 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 1.2 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~+150 |
200V場效應管 50N20的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 200 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=20A | 50 | 60 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 154 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 13 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 58 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2800 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 355 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 101 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 46 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 54 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 360 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 96 |
200V場效應管 50N20的封裝外形尺寸圖：
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