宇芯微 低內(nei) 阻 電源用N溝道MOS 30N15 TO-252 貼片場效應管
電源用N溝道MOS 30N15的應用領域：
電池保護
負載開關(guan)
UPS不間斷電源
電源用N溝道MOS 30N15的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 150 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續 | 30 | A |
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 60 | |
| PD | 總耗散功率 | 72.6 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 55 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 2 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~175 |
電源用N溝道MOS 30N15的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 150 | 165 | V | |
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=20A | 43 | 52 | mΩ | |
| 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=10A | 45 | 70 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 23 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 5.8 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 4.2 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1190 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 73 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 4 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 16.2 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 18.6 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 28.5 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 6.5 |
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