110V 電源用NMOS 100N11 TO-263 貼片MOSFET 大電流場效應管

電源用NMOS 100N11的特點：

• V_DS=110V

• I_D=100A

• R_DS(ON)＜16mΩ@V_GS=10V

• 封裝：TO-263

電源用NMOS 100N11的應用領域：

• 電源轉換裝置

• 硬開關(guan) 和高頻電路

• UPS不間斷電源

電源用NMOS 100N11的極限值：

(如無特殊說明，T_J=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：110V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

• 漏極電流-連續 I_D：100A

• 漏極電流-脈衝(chong) I_DM：300A

• 單脈衝(chong) 雪崩能量 E_AS：300mJ

• 總耗散功率 P_D：273W

• 存儲(chu) 溫度 T_STG：-55~+175℃

• 工作結溫 T_J：-55~+175℃

• 結到環境的熱阻 R_θJA：62℃/W

• 結到管殼的熱阻 R_θJC：0.55℃/W

電源用NMOS 100N11的電特性：