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國產替代PMOS管 50P10 TO-220
國產替代PMOS管 50P10 TO-220
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:50P10
產品封裝:TO-220
產品標題:國產替代PMOS管 50P10 TO-220 MOS型號及參數 國產插件MOS
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


國產(chan) 替代PMOS管 50P10 TO-220 MOS型號及參數 國產(chan) 插件MOS



國產(chan) 替代PMOS管 50P10的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:-100V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID:-50A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:-150A

  • 單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:87mJ

  • 雪崩電流 IAS:-35A

  • 總耗散功率 PD:140W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃

  • 結到環境的熱阻 RθJA:62℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:1.1℃/W



國產(chan) 替代PMOS管 50P10的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-100

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=-10V,ID=-20A


4052
靜態漏源導通電阻

VGS=-4.5V,ID=-10A


4462
VGS(th)
柵極開啟電壓-1-1.6-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
40
nC
Qgs柵源電荷密度

7.8
Qgd柵漏電荷密度
8.6
Ciss輸入電容
2120
pF
Coss輸出電容
194
Crss反向傳輸電容
13
td(on)開啟延遲時間
13
ns
tr開啟上升時間

39


td(off)關斷延遲時間
100.1
tf
開啟下降時間
105.3


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