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52mΩ 電源PMOS管 50P10 TO-252
52mΩ 電源PMOS管 50P10 TO-252
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:50P10
產品封裝:TO-252
產品標題:宇芯微 52mΩ 電源PMOS管 50P10 TO-252 MOSFET型號大全
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


宇芯微 52mΩ 電源PMOS管 50P10 TO-252 MOSFET型號大全



電源PMOS管 50P10的產(chan) 品特點:

  • VDS=-100V

  • ID=-50A

  • RDS(ON)<52mΩ@VGS=-10V

  • 封裝:TO-252



電源PMOS管 50P10的用途:

  • 無刷馬達

  • 負載開關(guan)

  • UPS 不間斷電源



電源PMOS管 50P10的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓-100
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續 TC=25℃-50A
漏極電流-連續 TC=100℃-28
IDM漏極電流-脈衝-150
EAS單脈衝雪崩能量87mJ
IAS
雪崩電流-35A
PD總耗散功率 TC=25℃140W
RθJA
結到環境的熱阻62.5℃/W
RθJC結到管殼的熱阻1.1
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150



電源PMOS管 50P10的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-100

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=-10V,ID=-20A


4052
靜態漏源導通電阻

VGS=-4.5V,ID=-10A


4462
VGS(th)
柵極開啟電壓-1-1.6-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
40
nC
Qgs柵源電荷密度

7.8
Qgd柵漏電荷密度
8.6
Ciss輸入電容
2120
pF
Coss輸出電容
194
Crss反向傳輸電容
13
td(on)開啟延遲時間
13
ns
tr開啟上升時間

39


td(off)關斷延遲時間
100.1
tf
開啟下降時間
105.3


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