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手機快充PMOS 01P10 SOT-23
手機快充PMOS 01P10 SOT-23
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:01P10
產品封裝:SOT-23
產品標題:手機快充PMOS 01P10 SOT-23 小電流場效應管 -100V/-0.9A
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


手機快充PMOS 01P10 SOT-23 小電流場效應管 -100V/-0.9A



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手機快充PMOS 01P10的特點:

  • VDS=-100V

  • ID=-0.9A

  • RDS(ON)<0.65Ω@VGS=10V

  • 封裝:SOT-23



手機快充PMOS 01P10的用途:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • UPS不間斷電源



手機快充PMOS 01P10的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓-100
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續 TA=25℃-0.9A
漏極電流-連續 TA=70℃-0.7
IDM漏極電流-脈衝-1.8
PD總耗散功率 TA=25℃1W
RθJA
結到環境的熱阻125℃/W
RθJC結到管殼的熱阻80
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150



手機快充PMOS 01P10的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-100

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=-10V,ID=-0.8A


0.520.65Ω
靜態漏源導通電阻

VGS=-4.5V,ID=-0.4A


0.560.7
VGS(th)
柵極開啟電壓-1-1.5-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導
3
S
Qg柵極電荷
4.5
nC
Qgs柵源電荷密度

1.14
Qgd柵漏電荷密度
1.5
Ciss輸入電容
553

pF
Coss輸出電容
29
Crss反向傳輸電容
20
td(on)開啟延遲時間
13.6
ns
tr開啟上升時間

6.8


td(off)關斷延遲時間
34
tf
開啟下降時間
3


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