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100V/170A 國產N溝道MOSFET 170N10 TO-220
100V/170A 國產N溝道MOSFET 170N10 TO-220
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:170N10
產品封裝:TO-220
產品標題:宇芯微 100V/170A 國產N溝道MOSFET 170N10 TO-220 鐵封插件MOS
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


宇芯微 100V/170A 國產(chan) N溝道MOSFET 170N10 TO-220 鐵封插件MOS



鐵封插件MOS 170N10的特點:

  • 低內(nei) 阻

  • 極低的開關(guan) 損耗

  • 封裝:TO-220



鐵封插件MOS 170N10的應用領域:

  • 消費電子電源

  • 同步整流

  • 同步整流應用程序



鐵封插件MOS 170N10的極限值:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:100V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID:170A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:540A

  • 單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:1000mJ

  • 總耗散功率 PD:375W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作溫度 TJ:-55~150℃ 

  • 結到環境的熱阻 RθJA:62.5℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:0.33℃/W



鐵封插件MOS 170N10的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓100

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=20A


2.53
VGS(th)
柵極開啟電壓2
4V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
158.8
nC
Qgs柵源電荷密度

38.4
Qgd柵漏電荷密度
41.6
Ciss輸入電容
10952.7

pF
Coss輸出電容
1402.2
Crss反向傳輸電容
33.3
td(on)開啟延遲時間
40.7
ns
tr開啟上升時間

31.4


td(off)關斷延遲時間
75.4
tf
開啟下降時間
16.2


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