100VN溝道MOS 130N10 TO-263 國產(chan) MOSFET 電源用場效應管
100VN溝道MOS 130N10的特點：
低內(nei) 阻
極低的開關(guan) 損耗
封裝：TO-263
100VN溝道MOS 130N10的極限參數：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：100V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續 ID：130A
漏極電流-脈衝(chong) IDM：390A
單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS：400mJ
總耗散功率 PD：192W
存儲(chu) 溫度 TSTG：-55~150℃
工作溫度 TJ：-55~150℃
結到環境的熱阻 RθJA：62℃/W
結到管殼的熱阻 RθJC：0.65℃/W
100VN溝道MOS 130N10的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=60A | 4 | 4.6 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 101.6 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 20.6 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 28.7 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 6124.6 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 792.3 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 15.1 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 28.2 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 7.5 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 81.9 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 20.1 |
100VN溝道MOS 130N10的封裝外形尺寸圖：
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