同步整流MOS管 40N10 TO-252 國產(chan) 替代場效應管 大芯片 MOSFET參數

同步整流MOS管 40N10的應用領域：

• 消費電子電源

• 馬達控製

• 同步整流
  

同步整流MOS管 40N10的極限參數：

(如無特殊說明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：100V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

• 漏極電流-連續 I_D：40A

• 漏極電流-脈衝(chong) I_DM：120A

• 單脈衝(chong) 雪崩能量 E_AS：57mJ

• 總耗散功率 P_D：71W

• 存儲(chu) 溫度 T_STG：-55~150℃

• 工作溫度 T_J：-55~150℃

• 結到環境的熱阻 R_θJA：62℃/W

• 結到管殼的熱阻 R_θJC：1.76℃/W

同步整流MOS管 40N10的電特性：

(如無特殊說明，T_C=25℃)

符號	參數	MIN值	TYP值	MAX值	單位
BVDSS	漏極-源極擊穿電壓	100	107		V
RDS(ON)	靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=10A		13.8	20	mΩ
	靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=7A		17.4	26
VGS(th)	柵極開啟電壓	1.2	1.5	2.5	V
IGSS	柵極漏電流			±100	nA
Qg	柵極電荷		16.2		nC
Qgs	柵源電荷密度		2.8
Qgd	柵漏電荷密度		4.1
Ciss	輸入電容		1003.9		pF
Coss	輸出電容		185.4
Crss	反向傳輸電容		9.8
td(on)	開啟延遲時間		16.8		ns
tr	開啟上升時間		3.8
td(off)	關斷延遲時間		75.5
tf	開啟下降時間		46