馬達控製MOS管 20N10 TO-252 100V/20A 中低壓MOS 大芯片場效應管

馬達控製MOS管 20N10的產(chan) 品特點：

• 低內(nei) 阻

• 極低的開關(guan) 損耗

• 封裝：TO-252
  

馬達控製MOS管 20N10的用途：

• 消費電子電源

• 馬達控製

• 同步整流

• 同步整流應用程序
  

馬達控製MOS管 20N10的極限參數：

(如無特殊說明，T_J=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：100V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

• 漏極電流-連續 I_D：20A

• 漏極電流-脈衝(chong) I_DM：45A

• 單脈衝(chong) 雪崩能量 E_AS：4.2mJ

• 總耗散功率 P_D：17W

• 存儲(chu) 溫度 T_STG：-55~150℃

• 工作溫度 T_J：-55~150℃

• 結到環境的熱阻 R_θJA：62℃/W

• 結到管殼的熱阻 R_θJC：7.4℃/W

馬達控製MOS管 20N10的電特性：

(如無特殊說明，T_J=25℃)