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57N10 TO-263 大電流NMOS
57N10 TO-263 大電流NMOS
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:57N10
產品封裝:TO-263
產品標題:功率場效應管 20mΩ 57N10 TO-263 大電流NMOS 國內MOSFET
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


功率場效應管 20mΩ 57N10 TO-263 大電流NMOS 國內(nei) MOSFET



大電流NMOS 57N10的應用領域:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • UPS不間斷電源



大電流NMOS 57N10的極限值:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:100V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID:57A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:120A

  • 單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:30mJ

  • 總耗散功率 PD:72W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作溫度 TJ:-55~150℃

  • 結到環境的熱阻 RθJA:62℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:1.74℃/W



大電流NMOS 57N10的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓100

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=8A


1420
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=6A


1826
VGS(th)
柵極開啟電壓1
2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
19.8
nC
Qgs柵源電荷密度

2.4
Qgd柵漏電荷密度
5.3
Ciss輸入電容
1190.6
pF
Coss輸出電容
194.6
Crss反向傳輸電容
4.1
td(on)開啟延遲時間
17.8
ns
tr開啟上升時間

3.9


td(off)關斷延遲時間
33.5
tf
開啟下降時間
3.2



大電流NMOS 57N10的封裝外形尺寸圖:

image.png


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