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宇芯微 常用低壓MOS管 15N10D-L TO-252
宇芯微 常用低壓MOS管 15N10D-L TO-252
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:15N10D-L
產品封裝:TO-252
產品標題:宇芯微100V/14.1A場效應管 常用低壓MOS管 15N10D-L TO-252 電源開關MOS管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


宇芯微100V/14.1A場效應管 常用低壓MOS管 15N10D-L TO-252 電源開關(guan) MOS管



常用低壓MOS管 15N10D-L的產(chan) 品應用:

  • 開關(guan) 電源

  • DC/DC 轉換器



常用低壓MOS管 15N10D-L的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓100
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(TC=25℃)14.1A
漏極電流-連續(TC=100℃)8.1
IDM漏極電流-脈衝28
PD總耗散功率(TC=25℃)20.8W
EAS單脈衝雪崩能量8mJ
RθJA結到環境的熱阻62.5℃/W
RθJC
結到管殼的熱阻6
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150



常用低壓MOS管 15N10D-L的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓100107
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=10A


88105
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=8A


93125
VGS(th)
柵極開啟電壓11.52.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
12
nC
Qgs柵源電荷密度

2.2
Qgd柵漏電荷密度
2.5
Ciss輸入電容
610
pF
Coss輸出電容
40
Crss反向傳輸電容
25
td(on)開啟延遲時間
7
ns
tr開啟上升時間

5


td(off)關斷延遲時間
16
tf
開啟下降時間
6


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