140mΩ 低壓MOS管 12N10 TO-252 場效應管絲(si) 印 100V/12A MOSFET手冊(ce)
低壓MOS管 12N10的用途：
電池保護
負載開關(guan)
UPS不間斷電源
低壓MOS管 12N10的極限值：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：100V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續 ID：12A
漏極電流-脈衝(chong) IDM：24A
總耗散功率 PD：17W
結到環境的熱阻 RθJA：62℃/W
結到管殼的熱阻 RθJC：7.4℃/W
存儲(chu) 溫度 TSTG：-55~150℃
工作結溫 TJ：-55~150℃
低壓MOS管 12N10的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=5A | 110 | 140 | mΩ | |
| 靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=3A | 140 | 180 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 4.3 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.1 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 206.1 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 28.9 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 1.4 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 14.7 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 3.5 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 20.9 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 2.7 |
低壓MOS管 12N10的封裝外形尺寸圖：
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