100V/3.8A 手機快充用MOS 4N10 SOT-23-3L MOS管參數
手機快充用MOS 4N10的特點：
VDS=100V
ID=3.8A
RDS(ON)＜240mΩ@VGS=10V
封裝：SOT-23-3L
手機快充用MOS 4N10的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 100 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(TC=25℃) | 3.8 | A |
| 漏極電流-連續(TC=100℃) | 2 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 8 | |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 3.76 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 70 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 30 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 |
手機快充用MOS 4N10的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=1A | 210 | 240 | mΩ | |
| 靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=0.5A | 240 | 280 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 1.9 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 9 | 18 | nC | |
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.3 | 4.6 | ||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.1 | 2.5 | ||
| Ciss | 輸入電容 | 152 | 200 | pF | |
| Coss | 輸出電容 | 17 | 20 | ||
| Crss | 反向傳輸電容 | 10 | 15 | ||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 5.2 | 10 | ns | |
| tr | 開啟上升時間 | 6.8 | 12 | ||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 14.5 | 28 | ||
| tf | 開啟下降時間 | 2.1 | 5 |
網站首頁可控矽集成電路MOS管產(chan) 品中心生產(chan) 實力技術支持新聞資訊關(guan) 於(yu) 宇芯聯係我們(men)
掃二維碼進入手機網站 
掃二維碼進入微信 
