hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » MOS管 » 中低壓MOS管 » 120A場效應管 120N08 TO-263

產品分類

Product Categories
120A場效應管 120N08 TO-263
120A場效應管 120N08 TO-263
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:120N08
產品封裝:TO-263
產品標題:電源應用MOS管 120A場效應管 120N08 TO-263 國產大芯片MOS
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


電源應用MOS管 120A場效應管 120N08 TO-263 國產(chan) 大芯片MOS



電源應用MOS管 120N08的應用領域:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • UPS不間斷電源



電源應用MOS管 120N08的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓85V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(TC=25℃)120A
漏極電流-連續(TC=100℃)100
IDM漏極電流-脈衝480
PD總耗散功率 TC=25℃220W
EAS單脈衝雪崩能量560mJ
IAS
雪崩電流53.4A
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150



電源應用MOS管 120N08的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓8592
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=50A,Tj=25℃


4.55.2
VGS(th)
柵極開啟電壓234V
IGSS柵極漏電流

100nA
Qg柵極電荷
65.7
nC
Qgs柵源電荷密度

24.9
Qgd柵漏電荷密度
13.9
Ciss輸入電容
4032
pF
Coss輸出電容
546
Crss反向傳輸電容
35
td(on)開啟延遲時間
20.1
ns
tr開啟上升時間
38
td(off)關斷延遲時間
45.1
tf
開啟下降時間
21



電源應用MOS管 120N08的封裝外形尺寸圖:

image.png


產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: