同步整流應用MOS 70N08 TO-220 插件場效應管 70A/80V 低壓MOSFET
低壓MOSFET 70N08的特點：
低內(nei) 阻
極低的開關(guan) 損耗
封裝：TO-220
低壓MOSFET 70N08的應用領域：
消費電子電源電機控製
同步整流
同步整流應用程序
低壓MOSFET 70N08的極限參數：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 80 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(TC=25℃) | 70 | A |
| 漏極電流-連續(TC=100℃) | 55 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 300 | |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 160 | W |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 550 | mJ |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~175 | |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 0.94 | ℃/W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 63 |
低壓MOSFET 70N08的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 80 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=40A | 8.5 | 10 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 94 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 16 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 24 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 3400 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 290 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 221 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 15 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 11 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 52 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 13 |
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