hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » MOS管 » 中低壓MOS管 » 7mΩ 大電流場效應管 90N06 TO-252

產品分類

Product Categories
7mΩ 大電流場效應管 90N06 TO-252
7mΩ 大電流場效應管 90N06 TO-252
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:90N06
產品封裝:TO-252
產品標題:國產 7mΩ 大電流場效應管 90N06 TO-252 開關用MOS MOSFET引腳
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


國產(chan) 7mΩ 大電流場效應管 90N06 TO-252 開關(guan) 用MOS MOSFET引腳



開關(guan) 用MOS 90N06的特點:

  • VDS=60V

  • ID=90A

  • RDS(ON)<7mΩ@VGS=10V

  • 封裝:TO-252



開關(guan) 用MOS 90N06的用途:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • UPS不間斷電源



開關(guan) 用MOS 90N06的極限參數:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:60V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID:90A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:320A

  • 單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:205.4mJ

  • 總耗散功率 PD:108W

  • 結到環境的熱阻 RθJA:62.5℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:1.4℃/W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃



開關(guan) 用MOS 90N06的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓6064
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=30A


5.87
VGS(th)
柵極開啟電壓234V
IGSS

柵極漏電流



±100nA
IDSS零柵壓漏極電流


1μA
Qg柵極電荷
90
nC
Qgs柵源電荷密度

9
Qgd柵漏電荷密度
18
Ciss輸入電容
4136
pF
Coss輸出電容
286
Crss反向傳輸電容
257
td(on)開啟延遲時間
9
ns
tr開啟上升時間
7
td(off)關斷延遲時間
40
tf
開啟下降時間
15


產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: