hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » MOS管 » 中低壓MOS管 » 大電流場效應管 80N06 TO-220

產品分類

Product Categories
大電流場效應管 80N06 TO-220
大電流場效應管 80N06 TO-220
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:80N06
產品封裝:TO-220
產品標題:大電流場效應管 80N06 TO-220 插件MOSFET 60VMOS管絲印
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


大電流場效應管 80N06 TO-220 插件MOSFET 60VMOS管絲(si) 印



插件MOSFET 80N06的特點:

  • VDS=60V

  • ID=80A

  • RDS(ON)<12mΩ@VGS=10V

  • 封裝:TO-220



插件MOSFET 80N06的極限參數:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:60V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID:80A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:272A

  • 總耗散功率 PD:104W

  • 結到環境的熱阻 RθJA:62.5℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:1.2℃/W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃



插件MOSFET 80N06的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓60

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=45A


7.212
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=30A


8.315
VGS(th)
柵極開啟電壓11.43V
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
3345nC
Qgs柵源電荷密度

5
Qgd柵漏電荷密度
21
Ciss輸入電容
26803300pF
Coss輸出電容
260
Crss反向傳輸電容
180
td(on)開啟延遲時間
10
ns
tr開啟上升時間
43
td(off)關斷延遲時間
47
tf
開啟下降時間
80


產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: