國產(chan) MOSFET 低壓係列MOS管 50N06 TO-251 場效應管工作原理

國產(chan) MOSFET 50N06的管腳圖：

國產(chan) MOSFET 50N06的用途：

• 電池保護

• 負載開關(guan)

• UPS不間斷電源
  

國產(chan) MOSFET 50N06的極限參數：

(如無特殊說明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：60V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

• 漏極電流-連續 I_D：50A

• 漏極電流-脈衝(chong) I_DM：90A

• 單脈衝(chong) 雪崩能量 E_AS：39.2mJ

• 雪崩電流 I_AS：28A

• 總耗散功率 P_D：45W

• 結到環境的熱阻 R_θJA：62℃/W

• 結到管殼的熱阻 R_θJC：2.8℃/W

• 存儲(chu) 溫度 T_STG：-55~150℃

• 工作結溫 T_J：-55~150℃

國產(chan) MOSFET 50N06的電特性：

(如無特殊說明，T_J=25℃)