電源管理MOS管 50N06 PDFN5X6-8L 60V/50A 國產(chan) NMOS管 大芯片
國產(chan) NMOS管 50N06的特點：
VDS=60V
ID=50A
RDS(ON)＜16mΩ@VGS=10V
封裝：PDFN5X6-8L
國產(chan) NMOS管 50N06的應用領域：
電池保護
負載開關(guan)
UPS不間斷電源
國產(chan) NMOS管 50N06的極限參數：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 60 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(TC=25℃) | 50 | A |
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 90 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 39.2 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 28 | A |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 45 | W |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 | |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 2.8 | ℃/W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 62 |
國產(chan) NMOS管 50N06的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 60 | 65 | V | |
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=20A | 11.5 | 16 | mΩ | |
| 靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=10A | 16.3 | 20 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 19.3 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 7.1 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 7.6 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2423 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 145 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 97 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 7.2 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 50 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 36.4 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 7.6 |
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