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160A大電流MOS管 160N04 TO-263
160A大電流MOS管 160N04 TO-263
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:160N04
產品封裝:TO-263
產品標題:場效應管絲印 160A大電流MOS管 160N04 TO-263 MOSFET用途
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


場效應管絲(si) 印 160A大電流MOS管 160N04 TO-263 MOSFET用途



160A大電流MOS管 160N04的特點:

  • VDS=40V

  • ID=160A

  • RDS(ON)<3mΩ@VGS=10V

  • 封裝:TO-263



160A大電流MOS管 160N04的用途:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • UPS不間斷電源



160A大電流MOS管 160N04的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓40V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(TC=25℃)160A
漏極電流-連續(TC=100℃)142
IDM漏極電流-脈衝400
EAS單脈衝雪崩能量400mJ
IAS雪崩電流40A
PD總耗散功率 TC=25℃178W
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150
RθJC結到管殼的熱阻0.7℃/W
RθJA結到環境的熱阻50



160A大電流MOS管 160N04的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓40

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=20A


1.93
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=20A


2.33.5
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.62.2V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=32V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零柵壓漏極電流

VDS=32V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
45
nC
Qgs柵源電荷密度
12
Qgd柵漏電荷密度
18.5
Ciss輸入電容
3972
pF
Coss輸出電容
1119
Crss反向傳輸電容
82
td(on)開啟延遲時間
18.5
ns
tr開啟上升時間
9
td(off)關斷延遲時間
58.5
tf
開啟下降時間
32


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