60V/3A場效應管 3N06 SOT-23 電源管理MOS MOSFET引腳
電源管理MOS 3N06的特點:
VDS=60V
ID=3A
RDS(ON)<100mΩ@VGS=10V
封裝:SOT-23
電源管理MOS 3N06的極限參數:
(如無特殊說明,TC=25℃)
符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | 60 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
ID | 漏極電流-連續 TA=25℃ | 3 | A |
漏極電流-連續 TA=70℃ | 1.8 | ||
IDM | 漏極電流-脈衝 | 9.2 | |
PD | 總耗散功率 TA=25℃ | 1 | W |
RθJA | 結到環境的熱阻 | 125 | ℃/W |
RθJC | 結到管殼的熱阻 | 80 | |
TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作結溫 | -55~150 |
電源管理MOS 3N06的電特性:
(如無特殊說明,TA=25℃)
符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 60 | V | ||
RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=2A | 80 | 100 | mΩ | |
靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=1A | 85 | 110 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 2.5 | V | |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 5 | 7 | nC | |
Qgs | 柵源電荷密度 | 1.68 | 2.4 | ||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.9 | 2.7 | ||
Ciss | 輸入電容 | 511 | 715 | pF | |
Coss | 輸出電容 | 38 | 53 | ||
Crss | 反向傳輸電容 | 25 | 35 | ||
td(on) | 開啟延遲時間 | 1.6 | 3.2 | ns | |
tr | 開啟上升時間 | 7.2 | 13 | ||
td(off) | 關斷延遲時間 | 25 | 50 | ||
tf | 開啟下降時間 | 14.4 | 28.8 |