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-40V/-30A 低內阻P型MOS 30P04 PDFN5X6-8L
-40V/-30A 低內阻P型MOS 30P04 PDFN5X6-8L
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:30P04
產品封裝:PDFN5X6-8L
產品標題:-40V/-30A 低內阻P型MOS 30P04 PDFN5X6-8L 場效應管的應用 MOS選型
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


-40V/-30A 低內(nei) 阻P型MOS 30P04 PDFN5X6-8L 場效應管的應用 MOS選型



低內(nei) 阻P型MOS 30P04的引腳配置圖:

image.png



低內(nei) 阻P型MOS 30P04的用途:

  • 電池電流

  • 負載開關(guan)

  • UPS不間斷電源



低內(nei) 阻P型MOS 30P04的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:-40V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID:-30A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:-105A

  • 單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:146mJ

  • 雪崩電流 IAS:-54A

  • 總耗散功率 PD:52.1W

  • 結到環境的熱阻 RθJA:62℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:2.4℃/W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃



低內(nei) 阻P型MOS 30P04的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-40

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=-10V,ID=-18A


10.513

靜態漏源導通電阻

VGS=-4.5V,ID=-12A


1520
VGS(th)
柵極開啟電壓-1-1.6-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
27.9
nC
Qgs柵源電荷密度
7.7
Qgd柵漏電荷密度
7.5
Ciss輸入電容
3500
pF
Coss輸出電容
323
Crss反向傳輸電容
222
td(on)開啟延遲時間
40
ns
tr開啟上升時間
35.2
td(off)關斷延遲時間
100
tf
開啟下降時間
9.6

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