150A場效應管 150N04 TO-252 國產(chan) MOSFET 2.4mΩ 電源管理MOS
電源管理MOS 150N04的特點：
VDS=40V
ID=150A
RDS(ON)＜2.4mΩ@VGS=10V
封裝：TO-252
電源管理MOS 150N04的用途：
電池保護
負載開關(guan)
UPS不間斷電源
電源管理MOS 150N04的極限參數：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 40 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(TC=25℃) | 150 | A |
| 漏極電流-連續(TC=100℃) | 90 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 450 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 400 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 40 | A |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 125 | W |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 | |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 1 | ℃/W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 50 |
電源管理MOS 150N04的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 40 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=20A | 2 | 2.3 | mΩ | |
| 靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=20A | 2.7 | 3 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.2 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=32V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=32V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 45 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 12 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 18.5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 3972 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 1119 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 82 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 18.5 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 9 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 58.5 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 32 |
電源管理MOS 150N04的封裝外形尺寸圖：
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