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大電流MOS 120N04 TO-252
大電流MOS 120N04 TO-252
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:120N04
產品封裝:TO-252
產品標題:大電流MOS 120N04 TO-252 貼片MOS LED用場效應管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


大電流MOS 120N04 TO-252 貼片MOS LED用場效應管



大電流MOS 120N04的用途:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • UPS不間斷電源



大電流MOS 120N04的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:40V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID:120A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:360A

  • 單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:145mJ

  • 雪崩電流 IAS:57A

  • 總耗散功率 PD:22W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃

  • 結到管殼的熱阻 RθJA:55℃/W

  • 結到環境的熱阻 RθJC:1.7℃/W



大電流MOS 120N04的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓40

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=20A


2.53.2

靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=15A


3.85.3
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.72.2V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=40V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零柵壓漏極電流

VDS=40V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
22.7
nC
Qgs柵源電荷密度
7.5
Qgd柵漏電荷密度
5.5
Ciss輸入電容
2648
pF
Coss輸出電容
899
Crss反向傳輸電容
71
td(on)開啟延遲時間
10
ns
tr開啟上升時間
5
td(off)關斷延遲時間
33
tf
開啟下降時間
6.5


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