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宇芯微 40VNMOS管 80N04 TO-252
宇芯微 40VNMOS管 80N04 TO-252
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:80N04
產品封裝:TO-252
產品標題:宇芯微 40VNMOS管 80N04 TO-252 常用MOSFET參數 UPS電源用
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


宇芯微 40VNMOS管 80N04 TO-252 常用MOSFET參數 UPS電源用



40VNMOS管 80N04的特點:

  • VDS=40V

  • ID=80A

  • RDS(ON)<7.5mΩ@VGS=10V

  • 封裝:TO-252



40VNMOS管 80N04的用途:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • UPS不間斷電源



40VNMOS管 80N04的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓40V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(TC=25℃)80A
漏極電流-連續(TC=100℃)45
IDM漏極電流-脈衝120
EAS單脈衝雪崩能量76.1mJ
IAS雪崩電流39A
PD總耗散功率44.6W
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150
RθJC結到管殼的熱阻2.8℃/W
RθJA結到環境的熱阻65



40VNMOS管 80N04的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓4047
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=12A


67.5

靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=10A


912
VGS(th)
柵極開啟電壓1.1.52.5V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=32V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零柵壓漏極電流

VDS=32V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
18.8
nC
Qgs柵源電荷密度
4.7
Qgd柵漏電荷密度
8.2
Ciss輸入電容
2332
pF
Coss輸出電容
193
Crss反向傳輸電容
138
td(on)開啟延遲時間
14.3
ns
tr開啟上升時間
2.6
td(off)關斷延遲時間
77
tf
開啟下降時間
4.8


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