68A國產(chan) 低壓MOS 68N04 PDFN5X6-8L 功率MOS管參數 8.5mΩMOS管

68A國產(chan) 低壓MOS 68N04的特點：

• V_DS=40V

• I_D=68A

• R_DS(ON)＜8.5mΩ@V_GS=10V

• 封裝：PDFN5X6-8L
  

68A國產(chan) 低壓MOS 68N04的用途：

• 電池保護

• 負載開關(guan)

• UPS不間斷電源
  

68A國產(chan) 低壓MOS 68N04的極限參數：

(如無特殊說明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：40V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

• 漏極電流-連續 I_D：68A

• 漏極電流-脈衝(chong) I_DM：125A

• 單脈衝(chong) 雪崩能量 E_AS：31mJ

• 雪崩電流 I_AS：31A

• 總耗散功率 P_D：1.67W

• 存儲(chu) 溫度 T_STG：-55~150℃

• 工作結溫 T_J：-55~150℃

• 結到環境的熱阻 R_θJA：85℃/W

• 結到管殼的熱阻 R_θJC：30℃/W

68A國產(chan) 低壓MOS 68N04的電特性：

(如無特殊說明，T_J=25℃)