hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » MOS管 » 中低壓MOS管 » UPS用國產MOS 60N04 PDFN3X3-8L

產品分類

Product Categories
UPS用國產MOS 60N04 PDFN3X3-8L
UPS用國產MOS 60N04 PDFN3X3-8L
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:60N04
產品封裝:PDFN3X3-8L
產品標題:UPS用國產MOS 60N04 PDFN3X3-8L 低內阻場效應管 MOS管性能
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


UPS用國產(chan) MOS 60N04 PDFN3X3-8L 低內(nei) 阻場效應管 MOS管性能



UPS用國產(chan) MOS 60N04的管腳圖:

image.png



UPS用國產(chan) MOS 60N04的用途:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • UPS不間斷電源



UPS用國產(chan) MOS 60N04的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:40V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID:60A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:100A

  • 單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:31mJ

  • 雪崩電流 IAS:25A

  • 總耗散功率 PD:34.7W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃

  • 結到環境的熱阻 RθJA:62℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:3.6℃/W



UPS用國產(chan) MOS 60N04的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓40

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=20A


12.515.5

靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=10A


14.520
VGS(th)
柵極開啟電壓11.52.5V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=32V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零柵壓漏極電流

VDS=32V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
10.7
nC
Qgs柵源電荷密度
3.3
Qgd柵漏電荷密度
4.2
Ciss輸入電容
1314
pF
Coss輸出電容
120
Crss反向傳輸電容
88
td(on)開啟延遲時間
8.6
ns
tr開啟上升時間
3.4
td(off)關斷延遲時間
25
tf
開啟下降時間
2.2


產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: