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低內阻40V場效應管 60N04 TO-252
低內阻40V場效應管 60N04 TO-252
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:60N04
產品封裝:TO-252
產品標題:60N04 TO-252 低內阻40V場效應管 大功率MOSFET 電池保護MOS
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


60N04 TO-252 低內(nei) 阻40V場效應管 大功率MOSFET 電池保護MOS



電池保護MOS 60N04的特點:

  • VDS=40V

  • ID=60A

  • RDS(ON)<18.5mΩ@VGS=10V

  • 封裝:TO-252



電池保護MOS 60N04的應用:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • UPS不間斷電源



電池保護MOS 60N04的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓40V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續60A
IDM漏極電流-脈衝100
EAS單脈衝雪崩能量31mJ
IAS雪崩電流25A
PD總耗散功率34.7W
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150
RθJC結到管殼的熱阻3.6℃/W
RθJA結到環境的熱阻65



電池保護MOS 60N04的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓40

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=20A


14.518.5

靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=10A


17.520.5
VGS(th)
柵極開啟電壓11.52.5V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=32V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零柵壓漏極電流

VDS=32V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
10.7
nC
Qgs柵源電荷密度
3.3
Qgd柵漏電荷密度
4.2
Ciss輸入電容
1314
pF
Coss輸出電容
120
Crss反向傳輸電容
88
td(on)開啟延遲時間
8.6
ns
tr開啟上升時間
3.4
td(off)關斷延遲時間
25
tf
開啟下降時間
2.2


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