40VN型MOSFET 50N04 TO-252 17mΩ低內(nei) 阻MOS 電源用 足芯片

40VN型MOSFET 50N04的應用領域：

• 電池保護

• 負載開關(guan)

• UPS不間斷電源

40VN型MOSFET 50N04的特點：

• V_DS=40V

• I_D=50A

• R_DS(ON)＜17mΩ@V_GS=10V

• 封裝：TO-252
  

40VN型MOSFET 50N04的極限參數：

(如無特殊說明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：40V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

• 漏極電流-連續 I_D：50A

• 漏極電流-脈衝(chong) I_DM：85A

• 單脈衝(chong) 雪崩能量 E_AS：31.3mJ

• 雪崩電流 I_AS：25A

• 總耗散功率 P_D：31.3W

• 存儲(chu) 溫度 T_STG：-55~150℃

• 工作結溫 T_J：-55~150℃

• 結到環境的熱阻 R_θJA：65℃/W

• 結到管殼的熱阻 R_θJC：3℃/W

40VN型MOSFET 50N04的電特性：

(如無特殊說明，T_C=25℃)