30V功率MOSFET 4435A SOP-8 MOS管絲(si) 印 鋰電保護用MOS

鋰電保護用MOS 4435A的特點：

• V_DS=-30V

• I_D=-10.5A

• R_DS(ON)＜16mΩ@V_GS=-10V

• 封裝：SOP-8

鋰電保護用MOS 4435A的應用：

• 鋰電池保護

• 手機快充
  

鋰電保護用MOS 4435A的極限值：

(如無特殊說明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：-30V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

• 漏極電流-連續 I_D：-10.5A

• 漏極電流-脈衝(chong)  I_DM：-50A

• 單脈衝(chong) 雪崩能量 E_AS：72.2mJ

• 雪崩電流 I_AS：-38A

• 總耗散功率 P_D：3.1W

• 存儲(chu) 溫度 T_STG：-55~150℃

• 工作結溫 T_J：-55~150℃

• 結到環境的熱阻 R_θJA：75℃/W

• 結到管殼的熱阻 R_θJC：24℃/W

鋰電保護用MOS 4435A的電特性：

(如無特殊說明，T_J=25℃)

鋰電保護用MOS 4435A的封裝外形尺寸圖：