hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » MOS管 » 中低壓MOS管 » 30VP溝道MOS管 50P03 PDFN5X6-8L

產品分類

Product Categories
30VP溝道MOS管 50P03 PDFN5X6-8L
30VP溝道MOS管 50P03 PDFN5X6-8L
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:50P03
產品封裝:PDFN5X6-8L
產品標題:30VP溝道MOS管 50P03 PDFN5X6-8L 手機快充MOS 場效應管引腳圖
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


30VP溝道MOS管 50P03 PDFN5X6-8L 手機快充MOS 場效應管引腳圖



手機快充MOS 50P03的引腳排列圖:

blob.png



手機快充MOS 50P03的應用:

  • 鋰電池保護

  • 手機快充



手機快充MOS 50P03的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓-30V
VGS柵極-源極電壓±25
ID漏極電流-連續-50A
IDM漏極電流-脈衝-150
EAS單脈衝雪崩能量125mJ
IAS雪崩電流-50A
PD總耗散功率45W
RθJA結到環境的熱阻62℃/W
RθJC結到管殼的熱阻2.8
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150



手機快充MOS 50P03的電特性:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-30-33
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=-10V,ID=-12A


913

靜態漏源導通電阻

VGS=-4.5V,ID=-8A


1420
VGS(th)
柵極開啟電壓-1-1.7-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導
30
S
Qg柵極電荷
22
nC
Qgs柵源電荷密度
8.7
Qgd柵漏電荷密度
7.2
Ciss輸入電容
2215
pF
Coss輸出電容
310
Crss反向傳輸電容
237
td(on)開啟延遲時間
8
ns
tr開啟上升時間
73.7
td(off)關斷延遲時間
61.8
tf
開啟下降時間
24.4


產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: