30P03 TO-252 電源用PMOSFET 低壓MOS管 國產(chan) 場效應管替換
電源用PMOSFET 30P03的應用領域：
電池保護
負載開關(guan)
不間斷電源
電源用PMOSFET 30P03的極限參數：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續 | -30 | A |
| IDM | 漏極電流-脈衝 | -70 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 72.2 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | -38 | A |
| PD | 總耗散功率 | 34.7 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 3.6 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 |
電源用PMOSFET 30P03的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -30 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=-10V,ID=-15A | 18 | 20 | mΩ | |
靜態漏源導通電阻 VGS=-4.5V,ID=-10A | 25 | 32 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -2.5 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導 | 5 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 12.5 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 5.4 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1345 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 194 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 158 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 4.4 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 11.2 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 34 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 18 |
網站首頁可控矽集成電路MOS管產(chan) 品中心生產(chan) 實力技術支持新聞資訊關(guan) 於(yu) 宇芯聯係我們(men)
掃二維碼進入手機網站 
掃二維碼進入微信 
