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P溝道MOS管 16P01 QFN2X2-6L
P溝道MOS管 16P01 QFN2X2-6L
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:16P01
產品封裝:QFN2X2-6L
產品標題:P溝道MOS管 16P01 負載開關用MOS QFN2X2-6L 功率場效應管型號
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


P溝道MOS管 16P01 負載開關(guan) 用MOS QFN2X2-6L 功率場效應管型號



P溝道MOS管 16P01的管腳圖:

blob.png



P溝道MOS管 16P01的特點:

  • VDS=-12V

  • ID=-16A

  • RDS(ON)<18mΩ@VGS=-4.5V

  • 封裝:QFN2X2-6L



P溝道MOS管 16P01的應用:

  • 電子煙

  • 負載開關(guan)



P溝道MOS管 16P01的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:-12V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±8V

  • 漏極電流-連續 ID:-16A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:-60A

  • 總耗散功率 PD:2.4W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃

  • 結到環境的熱阻 RθJA:52℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:6.9℃/W



P溝道MOS管 16P01的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-12

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=-4.5V,ID=-10A


14.418

靜態漏源導通電阻

VGS=-2.5V,ID=-8.9A


18.921

靜態漏源導通電阻

VGS=-1.8V,ID=-4.5A


26.438
VGS(th)
柵極開啟電壓-0.4
-1V
IDSS

零柵壓漏極電流



-1μA
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
21
nC
Qgs柵源電荷密度
2.5
Qgd柵漏電荷密度
6
Ciss輸入電容
2138
pF
Coss輸出電容
685
Crss反向傳輸電容
650
td(on)開啟延遲時間
30
ns
tr開啟上升時間
48
td(off)關斷延遲時間
97
tf
開啟下降時間
65



P溝道MOS管 16P01的封裝外形尺寸:

blob.png


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