12VMOS管 2P01 SOT-23 超低電壓MOS管 2P01 2.3A場效應管
12VMOS管 2P01的引腳圖：
12VMOS管 2P01的極限值：
(如無特殊說明，TA=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -12 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±10 | |
| ID | 漏極電流-連續 | -2.8 | A |
| IDM | 漏極電流-脈衝 | -8 | |
| PD | 總耗散功率 | 0.9 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 138 | ℃/W |
| TJ,TSTG | 工作結溫和存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
12VMOS管 2P01的電特性：
(如無特殊說明，TA=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -12 | -16 | V | |
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=-4.5V,ID=-2.5A | 100 | 135 | mΩ | |
靜態漏源導通電阻 VGS=-2.5V,ID=-2A | 125 | 160 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -0.4 | -0.65 | -1 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 | -1 | μA | ||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 5.4 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.1 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.3 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 455 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 194 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 134 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 9 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 14 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 21 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 17 |
12VMOS管 2P01的封裝外形尺寸圖：
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