hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » MOS管 » 中低壓MOS管 » 小電流NMOS 3416 SOT23-3L

產品分類

Product Categories
小電流NMOS 3416 SOT23-3L
小電流NMOS 3416 SOT23-3L
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:3416
產品封裝:SOT23-3L
產品標題:小電流NMOS 3416 SOT23-3L 小家電用MOS管 MOSFET替換
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


小電流NMOS 3416 SOT23-3L 小家電用MOS管 MOSFET替換



小電流NMOS 3416的管腳配置圖:

blob.png



小電流NMOS 3416的特點:

  • VDS=20V

  • ID=6.5A

  • RDS(ON)<33mΩ@VGS=4.5V

  • 封裝:SOT23-3L



小電流NMOS 3416的應用:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • 不間斷電源



小電流NMOS 3416的極限值:

(如無特殊說明,TA=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:20V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±12V

  • 漏極電流-連續 ID:6.5A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:30A

  • 總耗散功率 PD:1.4W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃

  • 結到環境的熱阻 RθJA:3.8℃/W



小電流NMOS 3416的電特性:

(如無特殊說明,TA=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓20

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=6.5A


1727

靜態漏源導通電阻

VGS=2.5V,ID=5.5A


2133

靜態漏源導通電阻

VGS=1.8V,ID=5A


2840
VGS(th)
柵極開啟電壓0.450.71V
IDSS

零柵壓漏極電流



1μA
IGSS柵極漏電流

±10μA
Qg柵極電荷
8
nC
Qgs柵源電荷密度

2.5


Qgd柵漏電荷密度
3
Ciss輸入電容
660
pF
Coss輸出電容
160
Crss反向傳輸電容
87
td(on)開啟延遲時間
0.5
ns
tr開啟上升時間
1
td(off)關斷延遲時間
12
tf
開啟下降時間
4



小電流NMOS 3416的封裝外形尺寸圖:

blob.png


產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: