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20V低壓NMOS 2302 SOT-23
20V低壓NMOS 2302 SOT-23
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:2302
產品封裝:SOT-23
產品標題:20V低壓NMOS 2302 SOT-23 電池保護用MOS 高性能場效應管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


20V低壓NMOS 2302 SOT-23 電池保護用MOS 高性能場效應管



20V低壓NMOS 2302的應用領域:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • 不間斷電源



20V低壓NMOS 2302的引腳圖:

blob.png



20V低壓NMOS 2302的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:20V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±12V

  • 漏極電流-連續 ID:4.2A

  • 漏極電流-脈衝(chong)  IDM:14.4A

  • 總耗散功率 PD:1W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃

  • 結到環境的熱阻 RθJA:125℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:80℃/W



20V低壓NMOS 2302的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓2022
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=3A


2432

靜態漏源導通電阻

VGS=2.5V,ID=2A


2938
VGS(th)
柵極開啟電壓0.50.751.2V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=16V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零柵壓漏極電流

VDS=16V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
4.6
nC
Qgs柵源電荷密度

0.7


Qgd柵漏電荷密度
1.5
Ciss輸入電容
310
pF
Coss輸出電容
49
Crss反向傳輸電容
35
td(on)開啟延遲時間
1.6
ns
tr開啟上升時間
42
td(off)關斷延遲時間
14
tf
開啟下降時間
7



20V低壓NMOS 2302的封裝外形尺寸圖:

blob.png


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