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低壓P溝道MOS管 2301 SOT-23
低壓P溝道MOS管 2301 SOT-23
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:2301
產品封裝:SOT-23
產品標題:低壓P溝道MOS管 2301 SOT-23 場效應管主要參數 MOS管2301
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


低壓P溝道MOS管 2301 SOT-23 場效應管主要參數 MOS管2301



低壓P溝道MOS管 2301的管腳圖:

blob.png



低壓P溝道MOS管 2301的特點:

  • VDS=-20V

  • ID=-3.3A

  • RDS(ON)<80mΩ@VGS=-4.5V

  • 封裝:SOT-23



低壓P溝道MOS管 2301的應用:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • 不間斷電源



低壓P溝道MOS管 2301的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓-20V
VGS柵極-源極電壓±12
ID漏極電流-連續 TA=25℃-3.3A
漏極電流-連續 TA=70℃-2.6
IDM漏極電流-脈衝-13
PD總耗散功率 TA=25℃1.4W
RθJA結到環境的熱阻125℃/W
TSTG
存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150



低壓P溝道MOS管 2301的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-20-22
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=-4.5V,ID=-3A


5580

靜態漏源導通電阻

VGS=-2.5V,ID=-2A


75100
VGS(th)
柵極開啟電壓-0.5-0.7-1.2V
IDSS

零柵壓漏極電

VDS=-20V,VGS=0V,TJ=25℃



-1uA

零柵壓漏極電流

VDS=-20V,VGS=0V,TJ=55℃



-5
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導
12.2
S
Qg柵極電荷
10.1
nC
Qgs柵源電荷密度

1.21


Qgd柵漏電荷密度
2.46
Ciss輸入電容
677
pF
Coss輸出電容
82
Crss反向傳輸電容
73
td(on)開啟延遲時間
5.6
ns
tr開啟上升時間
32.2
td(off)關斷延遲時間
45.6
tf
開啟下降時間
29.2


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