hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » MOS管 » 中低壓MOS管 » P型小電壓MOS 70P02 PDFN5X6-8L

產品分類

Product Categories
P型小電壓MOS 70P02 PDFN5X6-8L
P型小電壓MOS 70P02 PDFN5X6-8L
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:70P02
產品封裝:PDFN5X6-8L
產品標題:P型小電壓MOS 70P02 PDFN5X6-8L -15V/70A 國產場效應管 MOSFET選型
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


P型小電壓MOS 70P02 PDFN5X6-8L -15V/70A 國產(chan) 場效應管 MOSFET選型



P型小電壓MOS 70P02的管腳圖:

blob.png



P型小電壓MOS 70P02的應用:

  • 鋰電池保護

  • 手機快速充電



P型小電壓MOS 70P02的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓-15V
VGS柵極-源極電壓±12
ID漏極電流-連續 TC=25℃-70A
漏極電流-連續 TC=100℃-54
IDM漏極電流-脈衝-360
PD總耗散功率 TC=25℃41.67W
RθJA結到環境的熱阻62℃/W
RθJC結到管殼的熱阻3
TSTG
存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150



P型小電壓MOS 70P02的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-15-18.5
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=-4.5V,ID=-20A


2.73.5

靜態漏源導通電阻

VGS=-2.5V,ID=-20A


3.85
VGS(th)
柵極開啟電壓-0.4-0.6-1V
IGSS柵極漏電流

±500nA
gfs正向跨導
30
S
Qg柵極電荷
149225nC
Qgs柵源電荷密度

14.4

22
Qgd柵漏電荷密度
42.865
Ciss輸入電容
1200016000pF
Coss輸出電容
16702500
Crss反向傳輸電容
7301100
td(on)開啟延遲時間
21.242ns
tr開啟上升時間
20.640
td(off)關斷延遲時間
2652
tf
開啟下降時間
400600



P型小電壓MOS 70P02的參數特性曲線圖:

blob.png


blob.png



P型小電壓MOS 70P02的封裝外形尺寸:

blob.png


產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: